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| Artikelnummer | SSM6L16FETE85LF |
|---|---|
| Teilstatus | Not For New Designs |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100mA |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 0.1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9.3pF @ 3V |
| Leistung max | 150mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | ES6 (1.6x1.6) |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET ARRAY N/P-CH 20V UF6
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6
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