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| Artikelnummer | IRLR110TR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 2.6A, 5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller: OSRAM Opto Semiconductors Inc.
Beschreibung: EMITTER IR 860NM 100MA RADIAL
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Hersteller: TDK Corporation
Beschreibung: SHEET FERRITE 200X200MM
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Hersteller: TDK Corporation
Beschreibung: SHEET FERRITE 200X200MM
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Hersteller: TDK Corporation
Beschreibung: SHEET FERRITE 200X300MM
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Hersteller: TDK Corporation
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