vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.
| Artikelnummer | SI2307CDS-T1-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 88 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
Auf Lager: 36000
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Auf Lager: 81000
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Auf Lager: 3000
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Auf Lager: 84000
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Auf Lager: 108000
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Auf Lager: 0
