Artikelnummer | SIHF18N50C-E3 |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 76nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2942pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 38W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 10A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 18A TO220
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