Artikelnummer | VS-GBPC3510W |
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Teilstatus | Active |
Dioden-Typ | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Spitzenrücklauf (Max) | 1000V |
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 35A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 2mA @ 1000V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | 4-Square, GBPC-W |
Lieferantengerätepaket | GBPC-W |
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: IGBT 600V 100A 250W SOT-227
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: IGBT 600V 220A 780W
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: IGBT 600V 480A 830W
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: MODULE IGBT SOT-227
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: IGBT 600V 200A 500W SOT-227
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: IGBT 600V 400A SOT227
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