Artikelnummer | W987D2HBJX6I TR |
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Teilstatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPSDR |
Speichergröße | 128Mb (4M x 32) |
Taktfrequenz | 166MHz |
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 5.4ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7 V ~ 1.95 V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 90-TFBGA |
Lieferantengerätepaket | 90-VFBGA (8x13) |
Hersteller: Winbond Electronics
Beschreibung: IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA
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Hersteller: Winbond Electronics
Beschreibung: IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 90BGA
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Hersteller: Winbond Electronics
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Hersteller: Winbond Electronics
Beschreibung: IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 54BGA
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