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| Numero de parte | TP5322K1-G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 220V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120mA (Tj) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 200mA, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-236AB (SOT23) |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Fabricante: Microchip Technology
Descripción: MOSFET P-CH 220V 0.12A SOT23-3
En stock: 0
Fabricante: Microchip Technology
Descripción: MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3
En stock: 0
Fabricante: Microchip Technology
Descripción: MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3
En stock: 0
