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| Numero de parte | CSICD10-1200 TR13 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 10A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 10A |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 250µA @ 1200V |
| Capacitancia @ Vr, F | 500pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descripción: 10A,1200V SURFACE MOUNT RECTIFIE
En stock: 0
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descripción: 10A,1200V SURFACE MOUNT RECTIFIE
En stock: 0
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descripción: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A DPAK
En stock: 0
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descripción: DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK
En stock: 97
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descripción: DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK
En stock: 0
