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| Numero de parte | CWDM3011P TR13 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 8V |
| Vgs (Max) | 20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 11A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
| Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descripción: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
En stock: 15000
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descripción: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
En stock: 5000
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descripción: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIC
En stock: 0
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
En stock: 2500
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descripción: MOSFET P-CH 16V 5.3A 8SOIC
En stock: 0
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descripción: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
En stock: 0
