Diodes Incorporated DMN3016LDN-7

Numero de parte: DMN3016LDN-7
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos

Diodes Incorporated

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Parámetro del producto

Numero de parte	DMN3016LDN-7
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	7.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	25.1nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1415pF @ 15V
Potencia - Max	1.1W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-PowerWDFN
Paquete de dispositivo del proveedor	V-DFN3030-8 (Type J)