Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - FET, MOSFET - Simple DMP1011UCB9-7

Diodes Incorporated DMP1011UCB9-7

Numero de parte
DMP1011UCB9-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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0.17509/pcs
Precio objetivo:
Cantidad:
Parámetro del producto
Numero de parte DMP1011UCB9-7
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 8V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 4V
Vgs (Max) -6V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 890mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 2A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor U-WLB1515-9
Paquete / caja 9-UFBGA, WLBGA
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