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| Numero de parte | ZXMHC10A07T8TA |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| Característica FET | Standard |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1A, 800mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 138pF @ 60V |
| Potencia - Max | 1.3W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | SOT-223-8 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SM8 |
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
En stock: 9000
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
En stock: 2500
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
En stock: 13000
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
En stock: 10000
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
En stock: 52500
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
En stock: 7000
