Fairchild/ON Semiconductor FCP11N60N

Numero de parte: FCP11N60N
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fairchild / ON Semiconductor

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Parámetro del producto

Numero de parte	FCP11N60N
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10.8A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	35.6nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1505pF @ 100V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	299 mOhm @ 5.4A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220-3
Paquete / caja	TO-220-3