Fairchild/ON Semiconductor FDB3652

Numero de parte: FDB3652
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fairchild / ON Semiconductor

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Parámetro del producto

Numero de parte	FDB3652
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9A (Ta), 61A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2880pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 61A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	D²PAK (TO-263AB)
Paquete / caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB