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| Numero de parte | FDMC86160ET100 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9A (Ta), 43A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1290pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.8W (Ta), 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 9A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Power33 |
| Paquete / caja | 8-PowerWDFN |
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descripción: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET POW
En stock: 6000
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN
En stock: 0
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descripción: MOSFET N/P-CH 150V
En stock: 0
