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| Numero de parte | FDP047AN08A0_F102 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 75V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220-3 |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
En stock: 315
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB-3
En stock: 5600
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descripción: PT3 75V
En stock: 0
