Fairchild/ON Semiconductor FQD13N06LTM

Numero de parte: FQD13N06LTM
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fairchild / ON Semiconductor

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Parámetro del producto

Numero de parte	FQD13N06LTM
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	6.4nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	115 mOhm @ 5.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	D-Pak
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63