Fairchild/ON Semiconductor FQP7N80C

Numero de parte: FQP7N80C
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fairchild / ON Semiconductor

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Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
0.83500/pcs
10 pcs
0.78250/pcs
100 pcs
0.61835/pcs
500 pcs
0.47955/pcs
1,000 pcs
0.37860/pcs

Total:0.83500/pcs

Unit Price:

0.83500/pcs

Precio objetivo:

Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	FQP7N80C
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	6.6A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1680pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 Ohm @ 3.3A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220-3
Paquete / caja	TO-220-3