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| Numero de parte | FQPF9N25CYDTU |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8.8A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430 mOhm @ 4.4A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220F-3 (Y-Forming) |
| Paquete / caja | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 100V 90A TO-220F
En stock: 0
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
En stock: 639
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
En stock: 795
