GeneSiC Semiconductor MBR200200CTR

Numero de parte: MBR200200CTR
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Diodos - Rectificadores - Arreglos

GeneSiC Semiconductor

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Parámetro del producto

Numero de parte	MBR200200CTR
Estado de la pieza	Active
Configuración de Diodo	1 Pair Common Anode
Tipo de diodo	Schottky
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo)	100A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	920mV @ 100A
Velocidad	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	-
Current - Reverse Leakage @ Vr	3mA @ 200V
Temperatura de funcionamiento - unión	-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / caja	Twin Tower
Paquete de dispositivo del proveedor	Twin Tower