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| Numero de parte | GP1M003A050FG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.5A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 395pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 17.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 Ohm @ 1.25A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220F |
| Paquete / caja | TO-220-3 Full Pack |
Fabricante: Global Power Technologies Group
Descripción: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descripción: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descripción: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descripción: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descripción: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descripción: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descripción: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descripción: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descripción: MOSFET N-CH 800V 3A TO220
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descripción: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
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