Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - FET, MOSFET - Simple GP2M007A065HG

Global Power Technologies Group GP2M007A065HG

Numero de parte
GP2M007A065HG
Fabricante
Global Power Technologies Group
Descripción
MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

global power technologies group, inc. is an integrated development and manufacturing company dedicated to products based on silicon carbide (sic) technologies.

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Cantidad:
Parámetro del producto
Numero de parte GP2M007A065HG
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 6.5A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1072pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 3.25A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / caja TO-220-3
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