Numero de parte | GSID200A170S3B1 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de IGBT | - |
Configuración | 2 Independent |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 1200V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 400A |
Potencia - Max | 1630W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A |
Corriente - corte de colector (máximo) | 1mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 26nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / caja | D-3 Module |
Paquete de dispositivo del proveedor | D3 |
Fabricante: Global Power Technologies Group
Descripción: SILICON IGBT MODULES
En stock: 0
Fabricante: Global Power Technologies Group
Descripción: IGBT MODULE 1200V 335A
En stock: 9
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Descripción: SILICON IGBT MODULES
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