Honeywell Microelectronics & Precision Sensors HTNFET-DC

Numero de parte: HTNFET-DC
Fabricante: Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
Descripción: MOSFET N-CH 55V 8-DIP
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Honeywell Microelectronics & Precision Sensors

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Parámetro del producto

Numero de parte	HTNFET-DC
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	-
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	4.3nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 28V
Vgs (Max)	10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	50W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 100mA, 5V
Temperatura de funcionamiento	-
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	-
Paquete / caja	8-CDIP Exposed Pad