Infineon Technologies IPD034N06N3 G

Numero de parte: IPD034N06N3 G
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Infineon Technologies

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Parámetro del producto

Numero de parte	IPD034N06N3 G
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	100A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 93µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	11000pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4 mOhm @ 100A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63