Infineon Technologies IRF7341TRPBF

Numero de parte: IRF7341TRPBF
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos

Infineon Technologies

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Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
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10 pcs
0.44250/pcs
100 pcs
0.34975/pcs
500 pcs
0.27124/pcs
1,000 pcs
0.21413/pcs

Total:0.47000/pcs

Unit Price:

0.47000/pcs

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Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	IRF7341TRPBF
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	740pF @ 25V
Potencia - Max	2W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SO