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| Numero de parte | SIDC01D120H6 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 600mA (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.6V @ 600mA |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 27µA @ 1200V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | Die |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Sawn on foil |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 9A WAFER
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 15A WAFER
En stock: 0
