Infineon Technologies SPA03N60C3

Numero de parte: SPA03N60C3
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Infineon Technologies

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Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
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0.69000/pcs
10 pcs
0.64900/pcs
100 pcs
0.51300/pcs
500 pcs
0.39783/pcs
1,000 pcs
0.31408/pcs

Total:0.69000/pcs

Unit Price:

0.69000/pcs

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Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	SPA03N60C3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.2A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 135µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	29.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 2A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO220-FP
Paquete / caja	TO-220-3 Full Pack