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| Numero de parte | SPB21N50C3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 560V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 21A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-3-2 |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Fabricante: H&D Wireless AB
Descripción: WIFI EVK BOARD 802.11 B/G/N
En stock: 8
Fabricante: H&D Wireless AB
Descripción: WIFI BOARD 802.11 BGN STM32
En stock: 10
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 560V 21A TO-263
En stock: 1000
