IXYS IXXN110N65B4H1

Numero de parte: IXXN110N65B4H1
Fabricante: IXYS
Descripción: IGBT 650V 215A 750W SOT227B
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - IGBT - Módulos

IXYS

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Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
12.52000/pcs
10 pcs
11.57900/pcs
25 pcs
10.64040/pcs
100 pcs
9.88920/pcs
250 pcs
9.07556/pcs

Total:12.52000/pcs

Unit Price:

12.52000/pcs

Precio objetivo:

Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	IXXN110N65B4H1
Estado de la pieza	Active
Tipo de IGBT	PT
Configuración	Single
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	650V
Current - Collector (Ic) (Max)	215A
Potencia - Max	750W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 110A
Corriente - corte de colector (máximo)	50µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce	3.65nF @ 25V
Entrada	Standard
Termistor NTC	No
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / caja	SOT-227-4, miniBLOC
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-227B