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| Numero de parte | 1N4448W-TP |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 250mA |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 100mA |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 4ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2.5µA @ 75V |
| Capacitancia @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | SOD-123 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOD-123 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
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