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| Numero de parte | APT25GP120BDQ1G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de IGBT | PT |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 69A |
| Corriente - colector pulsado (Icm) | 90A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 25A |
| Potencia - Max | 417W |
| Conmutación de energía | 500µJ (on), 440µJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Cargo de puerta | 110nC |
| Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 12ns/70ns |
| Condición de prueba | 600V, 25A, 5 Ohm, 15V |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 [B] |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: PWR MOD IGBT4 1200V SOT227
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 67A 272W TMAX
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 67A 272W TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 67A 272W D3PAK
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 69A 417W TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 69A 417W TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 900V 72A 417W TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 900V 72A 417W TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 75A 521W TO247
En stock: 285
