Numero de parte | APT32F120J |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 33A |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 560nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 18200pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 960W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 25A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | ISOTOP® |
Paquete / caja | SOT-227-4, miniBLOC |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247
En stock: 77
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247
En stock: 3