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| Numero de parte | APT40GT60BRG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de IGBT | NPT |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80A |
| Corriente - colector pulsado (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 40A |
| Potencia - Max | 345W |
| Conmutación de energía | 828µJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Cargo de puerta | 200nC |
| Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 12ns/124ns |
| Condición de prueba | 400V, 40A, 5 Ohm, 15V |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 [B] |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
En stock: 5
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
En stock: 2905
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
En stock: 355
