Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - FET, MOSFET - Arreglos APTM100A13DG

Microsemi Corporation APTM100A13DG

Numero de parte
APTM100A13DG
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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  • Precio de referencia

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    79.04285/pcs
Total:79.04285/pcs Unit Price:
79.04285/pcs
Precio objetivo:
Cantidad:
Parámetro del producto
Numero de parte APTM100A13DG
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 1000V (1kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 65A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 6mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 562nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 15200pF @ 25V
Potencia - Max 1250W
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja SP6
Paquete de dispositivo del proveedor SP6
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