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| Numero de parte | JAN1N6622 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 660V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 2A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.6V @ 2A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 30ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500nA @ 660V |
| Capacitancia @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | A, Axial |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -65°C ~ 150°C |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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