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| Numero de parte | JANTX1N5612 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo | Zener |
| Canales unidireccionales | 1 |
| Canales Bidireccionales | - |
| Voltaje - Separación inversa (Tipo) | 49V |
| Voltaje - avería (Min) | 54V |
| Voltaje: sujeción (máxima) @ Ipp | 78.5V |
| Corriente - Pulso máximo (10 / 1000μs) | 19A |
| Poder - Pulso máximo | 1500W (1.5kW) |
| Power Line Protection | No |
| Aplicaciones | General Purpose |
| Capacitancia @ Frecuencia | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | G, Axial |
| Paquete de dispositivo del proveedor | G, Axial |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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