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| Numero de parte | JANTX1N6511 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Configuración de Diodo | 7 Independent |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
| Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | 300mA (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 100mA |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 10ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100nA @ 40V |
| Temperatura de funcionamiento - unión | - |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | 14-CDIP (0.300", 7.62mm) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 14-CDIP |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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