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| Numero de parte | UPR10E3/TR7 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 2.5A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 975mV @ 2A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 25ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2µA @ 100V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | DO-216AA |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DO-216 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO216
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO216
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO216
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO216
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO216
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO216
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