Numero de parte | 74HCT4316D,112 |
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Estado de la pieza | Active |
Circuito de conmutación | SPST - NO |
Circuito multiplexor / demultiplexor | 1:1 |
Cantidad de circuitos | 4 |
Resistencia en estado (Máx) | 135 Ohm |
Coincidencia de canal a canal (& Delta; Ron) | 6 Ohm |
Voltaje: suministro, individual (V +) | 4.5 V ~ 5.5 V |
Voltaje - Suministro, Dual (V ±) | ±1 V ~ 5 V |
Tiempo de cambio (Ton, Toff) (Max) | 42ns, 34ns |
Ancho de banda de -3db | 160MHz |
Inyección de carga | - |
Capacitancia de canal (CS (apagado), CD (apagado)) | 3.5pF |
Current - Leakage (IS (off)) (Max) | 100nA |
Diafonía | -60dB @ 1MHz |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Paquete / caja | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete de dispositivo del proveedor | 16-SO |
Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descripción: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DHVQFN
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Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descripción: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DQFN
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: IC GATE NAND QUAD 2 IN 14SOIC
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Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descripción: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO
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Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descripción: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO
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Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descripción: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO
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Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descripción: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SSOP
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Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descripción: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SSOP
En stock: 0
Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descripción: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DIP
En stock: 0