Numero de parte | PMG85XP,115 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2A (Tj) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 2.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.15V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 375mW (Ta), 2.4W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 2A, 4.5V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | 6-TSSOP |
Paquete / caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descripción: MOSFET P-CH 20V 2A 6TSSOP
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