Numero de parte | NGTD15R65F2WP |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corriente - promedio rectificado (Io) | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.9V @ 25A |
Velocidad | - |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 650V |
Capacitancia @ Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | Die |
Paquete de dispositivo del proveedor | Die |
Temperatura de funcionamiento - unión | 175°C (Max) |
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
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Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
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Descripción: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
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Descripción: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
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Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
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Descripción: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
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Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: DIODE GEN PURP 650V DIE
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Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
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Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
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Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
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