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| Numero de parte | NTQD6866R2G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 16V |
| Potencia - Max | 940mW |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP
En stock: 0
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
En stock: 0
