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| Numero de parte | SSVMUN5312DW1T2G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 50V |
| Resistencia - Base (R1) (Ohmios) | 22k |
| Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) | 22k |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 500nA |
| Frecuencia - Transición | - |
| Potencia - Max | 187mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
En stock: 3543000
