Numero de parte | MTM761100LBF |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A (Ta) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.8V, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±8V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 700mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 1A, 4V |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | WSMini6-F1-B |
Paquete / caja | 6-SMD, Flat Leads |
Fabricante: Panasonic Electronic Components
Descripción: MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
En stock: 0
Fabricante: Panasonic Electronic Components
Descripción: MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
En stock: 0
Fabricante: Panasonic Electronic Components
Descripción: MOSFET P-CH 20V 3A WSMINI6
En stock: 0
Fabricante: Panasonic Electronic Components
Descripción: MOSFET N/P-CH 20V WSMINI6-F1
En stock: 0
Fabricante: Panasonic Electronic Components
Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 1.7A/1A 6-SMD
En stock: 0
Fabricante: Panasonic Electronic Components
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 4A WSMINI8-F1-B
En stock: 15000