Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - FET, MOSFET - Simple NP180N04TUG-E1-AY

Renesas Electronics America NP180N04TUG-E1-AY

Numero de parte
NP180N04TUG-E1-AY
Fabricante
Renesas Electronics America
Descripción
MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
Renesas Electronics America

Renesas Electronics America

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Parámetro del producto
Numero de parte NP180N04TUG-E1-AY
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 180A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 390nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 25700pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.8W (Ta), 288W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 mOhm @ 90A, 10V
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-263-7
Paquete / caja TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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