Numero de parte | DTC643TKT146 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 20V |
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) | 4.7k |
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) | - |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 820 @ 50mA, 5V |
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 150mV @ 2.5mA, 50mA |
Corriente - corte de colector (máximo) | 500nA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | 150MHz |
Potencia - Max | 200mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete de dispositivo del proveedor | SMT3 |
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descripción: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
En stock: 3000
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descripción: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
En stock: 0
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descripción: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
En stock: 6000
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