Rohm Semiconductor R6025FNZ1C9

Numero de parte: R6025FNZ1C9
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

ROHM Semiconductor

rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.

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Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
3.33500/pcs
10 pcs
3.12150/pcs
100 pcs
2.55945/pcs
500 pcs
2.07251/pcs
1,000 pcs
1.74790/pcs

Total:3.33500/pcs

Unit Price:

3.33500/pcs

Precio objetivo:

Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	R6025FNZ1C9
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	25A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	85nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 12.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-247
Paquete / caja	TO-247-3