Numero de parte | RUE003N02TL |
---|---|
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 300mA (Ta) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.8V, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±8V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 150mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 300mA, 4V |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | EMT3 |
Paquete / caja | SC-75, SOT-416 |
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 20V .2A EMT3
En stock: 9000
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3
En stock: 0
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
En stock: 45000