rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.
| Numero de parte | SCT3120ALGC11 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 21A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 3.33mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 18V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 500V |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 103W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156 mOhm @ 6.7A, 18V |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247N |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descripción: MOSFET NCH 650V 21A TO247N
En stock: 622
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descripción: MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N
En stock: 0
